Обозначение зарубежных радиоэлементов

За рубежом существует три основные системы обозначений радиоэлемен­тов: американская (JEDEK), европейская (PRO ELECTRON) и японская (JIS).

Американская система обозначений (JEDEK): 

Первая цифра показывает количество р-n переходов:

1          — диод;

2          — транзистор;

3          — тиристор.

За цифрой следует буква N и затем серийный номер. Буквы за номером обо­значают разные параметры для приборов одного типа. Например: 1N4148, 2N5551.

Европейская система обозначений (PRO ELECTRON):

Основное обозначение по этой системе состоит из пяти знаков. Две буквы и три цифры — для широкого применения. Три буквы и две цифры — для специальной аппаратуры. Следующая за ними буква обозначает разные параметры для приборов одного типа (для биполярных транзисторов это, как правило, коэффициент шума или статический коэффициент передачи тока). Первая буква — код материала:

А — германий;

В — кремний;

С — арсенид галлия;

R — сульфид кадмия.

Вторая буква — назначение:

А — маломощный днод;

В — варикап;

С — маломощный низкочастотный транзистор;

D — мощный низкочастотный транзистор;

Е — туннельный диод;

F — маломощный высокочастотный транзистор;

G — несколько приборов в одном корпусе;

Н — магнитодиод;

L — мощный высокочастотный транзистор;

М — датчик Холла;

Р — фотодиод, фототранзнстор;

Q — светодиод;

R — маломощный регулирующий или переключающий прибор;

S — маломощный переключательный транзистор;

Т — мощный регулирующий или переключающий прибор;

U — мощный переключательный транзистор;

X — умножнтельный днод;

Y- мощный выпрямительный диод;

Z — стабилитрон.

Например: BZY56, ВС547С, BF492, BU508.

 

Японская система обозначений (JIC):

Условное обозначение состоит нз пяти элементов:

Первый элемент — цифра, обозначающая класс полупроводникового прибора:

0 — фотодиод, фототранзнстор;

1 — диод;

2 — транзистор;

3 — тиристор.

Второй элемент — буква S (Semiconductor).

Третий элемент — тип прибора:

А — высокочастотный р-п-р транзистор;
В — низкочастотный п-р-п транзистор;
С — высокочастотный п-р-п транзистор;
D — низкочастотный р-п-р транзистор;
Е — диод Есаки;
F — тиристор;
G — диод Ганна;
Н — однопереходный транзистор;
I — полевой транзистор с р-каналом;
К — полевой транзистор с п-каналом;
М — симметричный тиристор (симистор);
Q — светодиод;
R — выпрямительный диод;
S — слаботочный диод;
Т — лавинный диод;
V — варикап;
Z — стабилитрон.

Четвёртый элемент обозначает регистрационный номер н начинается с числа 11.

Пятый — одна или две буквы, которые обозначают разные параметры для приборов одного типа (для биполярных транзисторов это коэффициент шума или статический коэффициент передачи тока, реже допустимое напряжение).

Например: 2SA733, 2SB1116A, 2SC945, 2SD1555.

Маркировка на корпусе прибора часто наносится без первой цифры и буквы. Например: 2SA733 маркируется как А733; 2SB1116A — В1116А; 2SC945 -С945; 2SD1555 — D1555 и т. п.

Некоторые фирмы для обозначения своих разработок используют собственную маркировку. Например, фирма «SAMSUNG» в обозначении некоторых транзисторов использует буквы SS (SS8050B, SS9014C). Фирма «MOTOROLA» MJ, MJE, MM, ММТ, MPQ, MPS (MJ3521, MJE350, ММ1812, MPS5551M, MPS А-92).